IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载查看详情>流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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东京电子：推出可控制1700V/1200A级IGBT 栅极驱动板
东京电子器件有限公司（总部：横滨市神奈川区；社长：栗木康幸)开发了仅用1块电路板即可实现1700V/1200A级IGBT控制的“TD-BD-IGGD05K”IGBT栅极驱动板，并将于2012年7月开始在中国销售。
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